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W29GL032C
8.5
AC Characteristics
Description
Symbol
ALT STD
V CC =2.7V~3.6V
Min Typ Max Units
Valid Data Output after Address
Page Access Time
Valid data output after #CE low
Valid data output after #OE low
Read Period Time
E VIO =V CC
E VIO =1.65V to V CC (1)
E VIO =V CC
E VIO =1.65V to V CC (1)
E VIO =V CC
E VIO =1.65V to V CC (1)
E VIO =V CC
E VIO =1.65V to V CC (1)
E VIO =V CC
E VIO =1.65V to V CC (1)
t ACC
t PACC
t AA
t PA
t CE
t OE
t RC
70
80
70
80
25
35
70
80
25
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Data Output High Impedance after #OE high
Data Output High Impedance after #CE high
Output Hold Time from the earliest rising edge of
address, #CE, #OE
Write Period Time
Command write period time
Address Setup Time
Address Setup Time to #OE low during Toggle Bit
Polling
Address Hold Time
Address Hold Time from #CE or #OE High during Toggle
Bit Polling
Data Setup Time
Data Hold Time
V CC Setup Time
Chip enable Setup Time
Chip enable Hold Time
Output enable Setup Time
t DF
t DF
t OH
t WC
t CWC
t AS
t ASO
t AH
t AHT
t DS
t DH
t VCS
t CS
t CH
t OES
0
70
70
0
15
45
0
30
0
35
0
0
0
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
ns
ns
ns
Output enable Hold Time
#WE Setup Time
#WE Hold Time
#CE Pulse Width
Read
Toggle & Data# Polling
t CP
t OEH
t WS
t WH
t CEPW
0
10
0
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
#CE Pulse With High
t CPH t CEPWH
30
ns
#WE Pulse Width
t WP
t WEPW
35
ns
#WE Pulse Width High
t WPH t WEPWH
30
ns
Program/Erase active time by
RY/#BY
E VIO =V CC
E VIO =1.65V to V CC
t BUSY
70
80
ns
ns
Read Recover Time before Write (#OE High to #WE
Low)
Read Recover Time before Write (#OE High to #CE Low)
16-Word Write Buffer Program Operation
t GHWL
t GHEL
t WHWH 1
0
0
96
ns
ns
μs
Effective Write Buffer Program
Operation
Accelerated Effective Write
Buffer Operation
Word
Per Word
t WHWH 1
t WHWH 1
6
4.8
μs
μs
Program Operation
Program Operation
Byte
Word
t WHWH 1
t WHWH 1
6
6
200
200
μs
μs
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